“永远比你多一个”，这是对当前芯片生产竞争的快速概括。现在，三星希望再次引领潮流，据传三星将于 6 月中旬在自己的活动上宣布 1 纳米生产技术。其目的是与英特尔竞争，英特尔希望在 2030 年之前超越三星，位居第二。
在制造技术的营销语言上，三星即使不是第一，也是遥遥领先。采用全栅极（GAA）的 3 纳米芯片的生产已进入第三年，远远领先于台积电和其他公司。然而，人们很快就忘记了这一生产过程曾出现过如此多的问题，直到现在才真正获得发展势头这一事实。第二代 3 纳米阶段可能在现有的基础下做了很多新的工作，以至于最近有传言说它将更名为 2 纳米。
这些发现、先前的路线图和现在所谓的 1 纳米工艺偏好，都表明未来将出现进一步的混淆。这是因为，现在宣布的 2026 年 1 纳米工艺可能与之前的计划已经没有太大关系，或者直到现在还在以不同的名称运行。
不过，在这方面，三星并非孤例；台积电的新 A16 工艺也只是 N2 生产的副产品，它采用后侧供电，原计划用于 N2P/N2X。英特尔也不例外，在 2028 年的英特尔 10A 计划中，英特尔已经采取了无数的措施，或多或少，但始终是纸上谈兵。在市场营销中，“总有一款比另一款更好”的座右铭已日益深入人心。
三星公司的 1 纳米工艺在 2026 年的现实性还有待观察。“1 纳米”可能不能从字面上理解，因为 1.x 纳米有许多步骤，而这也是目前所有制造商的中间步骤。
如果三星之前宣传的第二个 2 纳米解决方案的工艺在市场营销中变成了 1.7 纳米工艺，那就随它去吧，就像台积电的 A16 一样，是一种旁门左道。毕竟，三星所称的 1.4 纳米工艺 SF1.4 要到 2027 年才会正式面世。
三星现在尤其面临着来自英特尔的压力。他们提出了许多计划，希望成为仅次于台积电的合约制造商。然而，这仍处于起步阶段，英特尔仍只为自己生产，并在代工厂上大量烧钱。英特尔在这一领域的努力最早将在明年和后年变得更加清晰，它是否能取得成功也将变得更加清晰。
